NJD35N04G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 187+ | 75.73 грн |
| 242+ | 58.49 грн |
| 525+ | 51.17 грн |
| 1050+ | 38.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJD35N04G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJD35N04G - Darlington-Transistor, NPN, 350 V, 45 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 45W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 4A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NJD35N04G за ціною від 24.26 грн до 111.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NJD35N04G | ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NJD35N04G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NJD35N04G | onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK Power - Max: 45 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 90MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube |
на замовлення 11210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NJD35N04G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJD35N04G - Darlington-Transistor, NPN, 350 V, 45 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 45W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
NJD35N04G | onsemi |
Darlington Transistors POWER DARL TRANSIST |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
NJD35N04G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. |
| NJD35N04G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 76.29 грн |
| 75+ | 58.91 грн |
| 525+ | 49.71 грн |
| 1050+ | 36.03 грн |
| NJD35N04G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 99.34 грн |
| 10+ | 88.44 грн |
| NJD35N04G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Power - Max: 45 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 90MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Power - Max: 45 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 90MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 11210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.84 грн |
| 75+ | 47.79 грн |
| 150+ | 42.79 грн |
| 525+ | 33.48 грн |
| 1050+ | 30.59 грн |
| 2025+ | 28.28 грн |
| 5025+ | 25.22 грн |
| 10050+ | 24.26 грн |
| NJD35N04G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJD35N04G - Darlington-Transistor, NPN, 350 V, 45 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NJD35N04G - Darlington-Transistor, NPN, 350 V, 45 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NJD35N04G |
|
Виробник: onsemi
Darlington Transistors POWER DARL TRANSIST
Darlington Transistors POWER DARL TRANSIST
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NJD35N04G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)