Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NJD35N04T4G
NJD35N04T4G

NJD35N04T4G ON Semiconductor

njd35n04-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+58.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJD35N04T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 45W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NJD35N04T4G за ціною від 51.70 грн до 125.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJD35N04T4G NJD35N04T4G onsemi njd35n04-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.13 грн
10+76.74 грн
100+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJD35N04T4G NJD35N04T4G onsemi F7C56D8FCA4D374CFFB05913F0705678DEB7C330F00E22CE7642F2500553991F.pdf Darlington Transistors NPN DARL POWER TRAN
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJD35N04T4G NJD35N04T4G ONSEMI ONSM-S-A0013669709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 45W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJD35N04T4G NJD35N04T4G ONSEMI ONSM-S-A0013669709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 45W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJD35N04T4G njd35n04-d.pdf
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJD35N04T4G njd35n04-d.pdf
NJD35N04T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.13 грн
10+76.74 грн
100+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJD35N04T4G F7C56D8FCA4D374CFFB05913F0705678DEB7C330F00E22CE7642F2500553991F.pdf
NJD35N04T4G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors NPN DARL POWER TRAN
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJD35N04T4G ONSM-S-A0013669709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJD35N04T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 45W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJD35N04T4G ONSM-S-A0013669709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJD35N04T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 45W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJD35N04T4G njd35n04-d.pdf
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.