NJD35N04T4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 39.98 грн |
| 5000+ | 35.87 грн |
| 7500+ | 35.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJD35N04T4G onsemi
Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 45W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NJD35N04T4G за ціною від 39.43 грн до 142.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NJD35N04T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NJD35N04T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 45W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NJD35N04T4G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors NPN DARL POWER TRAN |
на замовлення 4959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NJD35N04T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 45W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NJD35N04T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W |
на замовлення 10746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NJD35N04T4G |
|
на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
NJD35N04T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NJD35N04T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NJD35N04T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |