NJL0281DG ON Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 288.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJL0281DG ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 260V 15A TO-264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-5, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-264-5, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V, Power - Max: 180 W.
Інші пропозиції NJL0281DG за ціною від 226.55 грн до 583.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NJL0281DG | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NJL0281DG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NJL0281DG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 19435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NJL0281DG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NJL0281DG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN 150W THERMALTRAK PPD |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NJL0281DG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 260V 15A TO-264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-5 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-264-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V Power - Max: 180 W |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NJL0281DG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJL0281DG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 5210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| NJL0281DG | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
NJL0281DG Код товару: 174069
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
NJL0281DG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NJL0281DG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NJL0281DG | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN + diode; bipolar; 260V; 15A; 180W; TO264-5 Type of transistor: NPN + diode Polarisation: bipolar Power dissipation: 180W Case: TO264-5 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 15A Collector-emitter voltage: 260V Frequency: 30MHz Current gain: 75...150 Pulsed collector current: 25A |
товару немає в наявності |