NJL1302DG ON Semiconductor
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 273.72 грн |
| 100+ | 241.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJL1302DG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-264, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NJL1302DG за ціною від 181.64 грн до 567.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NJL1302DG | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 10899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NJL1302DG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NJL1302DG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 260V 15A TO-264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-5 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP + Diode (Isolated) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-264-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NJL1302DG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-264 Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NJL1302DG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNPBIP PWR THERM TRK PPD |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| NJL1302DG | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
NJL1302DG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NJL1302DG | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP + diode; bipolar; 260V; 15A; 200W; TO264-5 Type of transistor: PNP + diode Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 260V Collector current: 15A Power dissipation: 200W Case: TO264-5 Pulsed collector current: 25A Current gain: 45...150 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz |
товару немає в наявності |