Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NJL1302DG
NJL1302DG

NJL1302DG ON Semiconductor

njl3281d-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 10899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
106+335.16 грн
500+317.52 грн
1000+299.88 грн
10000+272.16 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJL1302DG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 200W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-264, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NJL1302DG за ціною від 233.40 грн до 614.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJL1302DG NJL1302DG ONSEMI njl3281d-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP + diode; bipolar; 260V; 15A; 200W; TO264-5
Type of transistor: PNP + diode
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 260V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO264-5
Pulsed collector current: 25A
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+370.85 грн
10+279.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DG NJL1302DG onsemi njl3281d-d.pdf Description: TRANS PNP 260V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP + Diode (Isolated)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.76 грн
25+351.71 грн
100+294.49 грн
500+233.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DG NJL1302DG ONSEMI ONSM-S-A0013303303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DG ON Semiconductor njl3281d-d.pdf
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DG onsemi njl3281d-d.pdf Bipolar Transistors - BJT PNPBIP PWR THERM TRK PPD
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DG njl3281d-d.pdf
NJL1302DG
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP + diode; bipolar; 260V; 15A; 200W; TO264-5
Type of transistor: PNP + diode
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 260V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO264-5
Pulsed collector current: 25A
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+370.85 грн
10+279.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DG njl3281d-d.pdf
NJL1302DG
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 260V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP + Diode (Isolated)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+614.76 грн
25+351.71 грн
100+294.49 грн
500+233.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DG ONSM-S-A0013303303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJL1302DG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DG njl3281d-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DG njl3281d-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNPBIP PWR THERM TRK PPD
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.