NJL3281DG

NJL3281DG ON Semiconductor


njl3281d-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+385.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJL3281DG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJL3281DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 15A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NJL3281DG за ціною від 256.31 грн до 649.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+414.66 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : onsemi njl3281d-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN BIPPWR THERM TRAK
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+504.47 грн
10+493.74 грн
25+313.78 грн
100+286.99 грн
175+280.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : ONSEMI 1298711.pdf Description: ONSEMI - NJL3281DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+637.03 грн
5+611.27 грн
10+584.66 грн
50+393.82 грн
100+304.66 грн
250+286.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : onsemi njl3281d-d.pdf Description: TRANS NPN 260V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+649.05 грн
25+373.83 грн
100+313.99 грн
500+256.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.