NJL3281DG ON Semiconductor


njl3281d-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+448.26 грн
50+447.15 грн
100+443.83 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJL3281DG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJL3281DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 200W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-264, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NJL3281DG за ціною від 261.43 грн до 798.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJL3281DG NJL3281DG ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+475.48 грн
100+383.66 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+475.48 грн
100+383.66 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG onsemi njl3281d-d.pdf Description: TRANS NPN 260V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.98 грн
25+395.53 грн
100+333.37 грн
500+266.21 грн
1000+261.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+798.08 грн
25+477.31 грн
100+436.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+798.08 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG onsemi njl3281d-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN BIPPWR THERM TRAK
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG ONSEMI 1298711.pdf Description: ONSEMI - NJL3281DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG ONSEMI njl3281d-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN + diode; bipolar; 260V; 15A; 200W; TO264-5
Type of transistor: NPN + diode
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 260V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO264-5
Pulsed collector current: 25A
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+518.72 грн
2+455.42 грн
5+402.09 грн
10+359.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG njl3281d-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+475.48 грн
100+383.66 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG njl3281d-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+475.48 грн
100+383.66 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG njl3281d-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 260V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+681.98 грн
25+395.53 грн
100+333.37 грн
500+266.21 грн
1000+261.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG njl3281d-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+798.08 грн
25+477.31 грн
100+436.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG njl3281d-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+798.08 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG njl3281d-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPPWR THERM TRAK
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG 1298711.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJL3281DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG njl3281d-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG njl3281d-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN + diode; bipolar; 260V; 15A; 200W; TO264-5
Type of transistor: NPN + diode
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 260V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO264-5
Pulsed collector current: 25A
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+518.72 грн
2+455.42 грн
5+402.09 грн
10+359.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.