Продукція > ONSEMI > NJL3281DG
NJL3281DG

NJL3281DG onsemi

NJL3281D-D.PDF Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPPWR THERM TRAK
на замовлення 2619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.36 грн
10+326.99 грн
100+253.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJL3281DG onsemi

Description: ONSEMI - NJL3281DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-264, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NJL3281DG за ціною від 236.79 грн до 599.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : ONSEMI 1298711.pdf Description: ONSEMI - NJL3281DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+502.34 грн
5+436.67 грн
10+371.00 грн
50+330.24 грн
100+290.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : onsemi njl3281d-d.pdf Description: TRANS NPN 260V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 3687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+599.54 грн
25+345.36 грн
100+290.07 грн
500+236.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DG Виробник : ONSEMI njl3281d-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN + diode; bipolar; 260V; 15A; 200W; TO264-5
Type of transistor: NPN + diode
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 260V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO264-5
Pulsed collector current: 25A
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.