
NJL3281DG ON Semiconductor
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 383.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJL3281DG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJL3281DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 15A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NJL3281DG за ціною від 246.38 грн до 623.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NJL3281DG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJL3281DG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 3305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJL3281DG | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJL3281DG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-5 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-264 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 1128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJL3281DG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
NJL3281DG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
NJL3281DG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |