Продукція > ONSEMI > NJT4030PT1G

NJT4030PT1G onsemi


njt4030p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+16.53 грн
2000+14.43 грн
3000+13.67 грн
5000+12.03 грн
7000+11.56 грн
10000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJT4030PT1G onsemi

Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223, Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Frequency - Transition: 160MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NJT4030PT1G за ціною від 10.22 грн до 59.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NJT4030PT1G NJT4030PT1G onsemi NJT4030P_D-1813233.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
на замовлення 8539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.76 грн
12+28.61 грн
100+17.97 грн
500+14.38 грн
1000+12.55 грн
2000+11.07 грн
5000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT1G NJT4030PT1G onsemi njt4030p-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.47 грн
10+35.89 грн
100+23.17 грн
500+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT1G NJT4030P_D-1813233.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
на замовлення 8539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.76 грн
12+28.61 грн
100+17.97 грн
500+14.38 грн
1000+12.55 грн
2000+11.07 грн
5000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT1G njt4030p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+59.47 грн
10+35.89 грн
100+23.17 грн
500+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.