Продукція > ONSEMI > NJT4030PT1G
NJT4030PT1G

NJT4030PT1G onsemi

njt4030p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.10 грн
2000+14.93 грн
3000+14.14 грн
5000+12.45 грн
7000+11.96 грн
10000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJT4030PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NJT4030PT1G за ціною від 11.53 грн до 61.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJT4030PT1G NJT4030PT1G Виробник : onsemi NJT4030P_D-1813233.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
на замовлення 9891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.35 грн
10+36.10 грн
100+20.85 грн
500+16.23 грн
1000+13.72 грн
2000+12.66 грн
5000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT1G NJT4030PT1G Виробник : ONSEMI 1796570.pdf Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.58 грн
24+36.75 грн
50+30.71 грн
200+22.90 грн
500+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT1G NJT4030PT1G Виробник : onsemi njt4030p-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 15793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.52 грн
10+37.12 грн
100+23.96 грн
500+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT1G NJT4030PT1G Виробник : ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.