NJT4030PT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1832+ | 19.31 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1832 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJT4030PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції NJT4030PT1G за ціною від 19.31 грн до 59.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NJT4030PT1G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NJT4030PT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NJT4030PT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NJT4030PT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NJT4030PT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR |
на замовлення 2929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
NJT4030PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
NJT4030PT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 38 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
NJT4030PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NJT4030PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1832+ | 19.31 грн |
| NJT4030PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 21.30 грн |
| 3000+ | 20.67 грн |
| 5000+ | 20.23 грн |
| NJT4030PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 30.80 грн |
| 29+ | 26.21 грн |
| 100+ | 20.83 грн |
| NJT4030PT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.57 грн |
| 10+ | 35.78 грн |
| 100+ | 23.10 грн |
| NJT4030PT1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NJT4030PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NJT4030PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NJT4030PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)