Продукція > ONSEMI > NJT4030PT3G
NJT4030PT3G

NJT4030PT3G onsemi

njt4030p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+13.47 грн
8000+11.94 грн
12000+11.41 грн
20000+10.15 грн
28000+9.82 грн
40000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJT4030PT3G onsemi

Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223, Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Frequency - Transition: 160MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NJT4030PT3G за ціною від 13.33 грн до 58.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJT4030PT3G NJT4030PT3G onsemi njt4030p-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 100276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+35.32 грн
100+22.81 грн
500+16.34 грн
1000+14.71 грн
2000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT3G NJT4030PT3G onsemi njt4030p-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
на замовлення 20275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT3G njt4030p-d.pdf
NJT4030PT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 100276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.79 грн
10+35.32 грн
100+22.81 грн
500+16.34 грн
1000+14.71 грн
2000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT3G njt4030p-d.pdf
NJT4030PT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
на замовлення 20275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.