Продукція > ONSEMI > NJT4030PT3G
NJT4030PT3G

NJT4030PT3G onsemi

njt4030p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+13.35 грн
8000+11.83 грн
12000+11.30 грн
20000+10.06 грн
28000+9.73 грн
40000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJT4030PT3G onsemi

Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223, Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Frequency - Transition: 160MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NJT4030PT3G за ціною від 9.73 грн до 58.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NJT4030PT3G NJT4030PT3G onsemi NJT4030P-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
на замовлення 26314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.83 грн
12+26.83 грн
100+16.57 грн
500+13.25 грн
1000+11.53 грн
2000+10.49 грн
4000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT3G NJT4030PT3G onsemi njt4030p-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 100276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
10+35.00 грн
100+22.60 грн
500+16.19 грн
1000+14.57 грн
2000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT3G ONN njt4030p-d.pdf
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT3G NJT4030P-D.PDF
NJT4030PT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
на замовлення 26314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.83 грн
12+26.83 грн
100+16.57 грн
500+13.25 грн
1000+11.53 грн
2000+10.49 грн
4000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT3G njt4030p-d.pdf
NJT4030PT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 100276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+58.25 грн
10+35.00 грн
100+22.60 грн
500+16.19 грн
1000+14.57 грн
2000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT3G njt4030p-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.