Продукція > ONSEMI > NJT4031NT1G
NJT4031NT1G

NJT4031NT1G onsemi

njt4031n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+19.25 грн
2000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJT4031NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 215MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NJT4031NT1G за ціною від 19.74 грн до 80.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJT4031NT1G NJT4031NT1G ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.82 грн
2000+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.95 грн
2000+21.89 грн
5000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.29 грн
2000+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.32 грн
2000+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+32.65 грн
5000+29.83 грн
10000+27.75 грн
15000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G ONSEMI njt4031n-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223-4; TO261-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 215MHz
Current gain: 200...500
на замовлення 634 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.39 грн
11+39.47 грн
50+30.37 грн
100+27.03 грн
200+23.95 грн
250+22.95 грн
500+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G onsemi njt4031n-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.75 грн
10+43.26 грн
100+28.21 грн
500+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G onsemi njt4031n-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT BP
на замовлення 61236 шт:
термін постачання 367-376 дні (днів)
4+80.14 грн
10+50.00 грн
100+28.62 грн
500+22.48 грн
1000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013302418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013302418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G njt4031n-d.pdf
NJT4031NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+22.82 грн
2000+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G njt4031n-d.pdf
NJT4031NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+23.95 грн
2000+21.89 грн
5000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G njt4031n-d.pdf
NJT4031NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+24.29 грн
2000+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G njt4031n-d.pdf
NJT4031NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+24.32 грн
2000+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G njt4031n-d.pdf
NJT4031NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+32.65 грн
5000+29.83 грн
10000+27.75 грн
15000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G njt4031n-d.pdf
NJT4031NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223-4; TO261-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 215MHz
Current gain: 200...500
на замовлення 634 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.39 грн
11+39.47 грн
50+30.37 грн
100+27.03 грн
200+23.95 грн
250+22.95 грн
500+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G njt4031n-d.pdf
NJT4031NT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.75 грн
10+43.26 грн
100+28.21 грн
500+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G njt4031n-d.pdf
NJT4031NT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT BP
на замовлення 61236 шт:
термін постачання 367-376 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.14 грн
10+50.00 грн
100+28.62 грн
500+22.48 грн
1000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G ONSM-S-A0013302418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJT4031NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G ONSM-S-A0013302418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJT4031NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.