Продукція > ONSEMI > NJT4031NT1G

NJT4031NT1G onsemi


njt4031n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 215MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+19.31 грн
2000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJT4031NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 215, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції NJT4031NT1G за ціною від 20.26 грн до 71.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJT4031NT1G NJT4031NT1G ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.37 грн
2000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.48 грн
2000+21.46 грн
5000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.81 грн
2000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.84 грн
2000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+32.01 грн
5000+29.24 грн
10000+27.21 грн
15000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G onsemi njt4031n-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 215MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.95 грн
10+43.38 грн
100+28.29 грн
500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G onsemi njt4031n-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT BP
на замовлення 11431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013302418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G njt4031n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+22.37 грн
2000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G njt4031n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+23.48 грн
2000+21.46 грн
5000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G njt4031n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+23.81 грн
2000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G njt4031n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+23.84 грн
2000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G njt4031n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+32.01 грн
5000+29.24 грн
10000+27.21 грн
15000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G njt4031n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 215MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.95 грн
10+43.38 грн
100+28.29 грн
500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G njt4031n-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT BP
на замовлення 11431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G ONSM-S-A0013302418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.