NJT4031NT1G

NJT4031NT1G ON Semiconductor


njt4031n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.60 грн
2000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJT4031NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 215, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції NJT4031NT1G за ціною від 13.34 грн до 74.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : onsemi njt4031n-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.21 грн
2000+18.60 грн
3000+17.67 грн
5000+15.60 грн
7000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.62 грн
2000+19.76 грн
5000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.95 грн
2000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+23.49 грн
2000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+29.47 грн
5000+26.93 грн
10000+25.05 грн
15000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013302418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.43 грн
18+47.67 грн
100+33.42 грн
500+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : onsemi NJT4031N-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT BP
на замовлення 10556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.30 грн
10+42.79 грн
100+24.43 грн
500+18.81 грн
1000+14.95 грн
2000+13.62 грн
10000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : onsemi njt4031n-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 7424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.24 грн
10+44.95 грн
100+29.32 грн
500+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.