Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NJV4030PT1G
NJV4030PT1G

NJV4030PT1G ON Semiconductor

njt4030p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJV4030PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NJV4030PT1G за ціною від 10.54 грн до 63.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJV4030PT1G NJV4030PT1G ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
708+19.86 грн
808+17.39 грн
812+17.31 грн
873+15.53 грн
1000+13.49 грн
2000+12.23 грн
5000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 708 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 212000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.05 грн
39+19.39 грн
100+17.53 грн
250+16.84 грн
500+14.75 грн
1000+13.46 грн
2000+12.87 грн
5000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.22 грн
38+19.86 грн
100+17.39 грн
250+16.69 грн
500+14.38 грн
1000+12.95 грн
2000+12.23 грн
5000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
586+24.00 грн
592+23.73 грн
599+23.48 грн
606+22.39 грн
1000+20.50 грн
3000+19.45 грн
6000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.26 грн
32+24.00 грн
100+22.89 грн
250+20.96 грн
500+19.90 грн
1000+19.68 грн
3000+19.45 грн
6000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G onsemi njt4030p-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.12 грн
10+37.43 грн
100+24.23 грн
500+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G onsemi NJT4030P-D.PDF Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
на замовлення 29485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G ONN njt4030p-d.pdf
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G njt4030p-d.pdf
NJV4030PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G njt4030p-d.pdf
NJV4030PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
708+19.86 грн
808+17.39 грн
812+17.31 грн
873+15.53 грн
1000+13.49 грн
2000+12.23 грн
5000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 708 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G njt4030p-d.pdf
NJV4030PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 212000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+21.05 грн
39+19.39 грн
100+17.53 грн
250+16.84 грн
500+14.75 грн
1000+13.46 грн
2000+12.87 грн
5000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G njt4030p-d.pdf
NJV4030PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+22.22 грн
38+19.86 грн
100+17.39 грн
250+16.69 грн
500+14.38 грн
1000+12.95 грн
2000+12.23 грн
5000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G njt4030p-d.pdf
NJV4030PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
586+24.00 грн
592+23.73 грн
599+23.48 грн
606+22.39 грн
1000+20.50 грн
3000+19.45 грн
6000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G njt4030p-d.pdf
NJV4030PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+24.26 грн
32+24.00 грн
100+22.89 грн
250+20.96 грн
500+19.90 грн
1000+19.68 грн
3000+19.45 грн
6000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G njt4030p-d.pdf
NJV4030PT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.12 грн
10+37.43 грн
100+24.23 грн
500+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJT4030P-D.PDF
NJV4030PT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
на замовлення 29485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJV4030PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJV4030PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G njt4030p-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.