
NJV4030PT1G ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 11.90 грн |
3000+ | 11.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJV4030PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NJV4030PT1G за ціною від 9.13 грн до 65.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NJV4030PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NJV4030PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NJV4030PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NJV4030PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NJV4030PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 212000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NJV4030PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NJV4030PT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 8329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NJV4030PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NJV4030PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NJV4030PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NJV4030PT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 8329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NJV4030PT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 30551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NJV4030PT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NJV4030PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
NJV4030PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
NJV4030PT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |