NJV4030PT1G

NJV4030PT1G ON Semiconductor


njt4030p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJV4030PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NJV4030PT1G за ціною від 9.57 грн до 69.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
708+18.03 грн
808+15.80 грн
812+15.72 грн
873+14.11 грн
1000+12.25 грн
2000+11.11 грн
5000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 708
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 212000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+20.48 грн
39+18.87 грн
100+17.06 грн
250+16.39 грн
500+14.35 грн
1000+13.10 грн
2000+12.52 грн
5000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+21.62 грн
38+19.32 грн
100+16.92 грн
250+16.24 грн
500+14.00 грн
1000+12.60 грн
2000+11.91 грн
5000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
586+21.79 грн
592+21.56 грн
599+21.33 грн
606+20.33 грн
1000+18.62 грн
3000+17.67 грн
6000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 586
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+23.61 грн
32+23.35 грн
100+22.27 грн
250+20.40 грн
500+19.37 грн
1000+19.15 грн
3000+18.93 грн
6000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.91 грн
500+18.70 грн
1000+14.46 грн
5000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : onsemi NJT4030P-D.PDF Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
на замовлення 29485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.62 грн
13+29.88 грн
100+20.00 грн
500+17.40 грн
1000+14.25 грн
2000+12.75 грн
5000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.63 грн
25+36.65 грн
100+27.91 грн
500+18.70 грн
1000+14.46 грн
5000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : onsemi njt4030p-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.83 грн
10+41.41 грн
100+26.81 грн
500+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G Виробник : onsemi njt4030p-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.