Продукція > ONSEMI > NJV4030PT3G

NJV4030PT3G onsemi


njt4030p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.40 грн
10+37.60 грн
100+24.34 грн
500+17.48 грн
1000+15.76 грн
2000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJV4030PT3G onsemi

Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V, Frequency - Transition: 160MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 2 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NJV4030PT3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJV4030PT3G NJV4030PT3G onsemi NJT4030P_D-1813233.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
на замовлення 6455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT3G NJT4030P_D-1813233.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
на замовлення 6455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.