NJV4031NT1G ON Semiconductor
Виробник: ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 739+ | 17.16 грн |
| 788+ | 16.08 грн |
| 791+ | 16.03 грн |
| 835+ | 14.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJV4031NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 215MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NJV4031NT1G за ціною від 13.45 грн до 71.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NJV4031NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NJV4031NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NJV4031NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NJV4031NT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NJV4031NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
NJV4031NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NJV4031NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NJV4031NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NJV4031NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 |
товару немає в наявності |