
NJV4031NT1G ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
739+ | 16.56 грн |
788+ | 15.52 грн |
791+ | 15.47 грн |
835+ | 14.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJV4031NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 215MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NJV4031NT1G за ціною від 12.60 грн до 58.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NJV4031NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NJV4031NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NJV4031NT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 3780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NJV4031NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NJV4031NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
NJV4031NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NJV4031NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NJV4031NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NJV4031NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
NJV4031NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 3A Power dissipation: 2W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 200...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 215MHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |