Продукція > ONSEMI > NJVMJB41CT4G
NJVMJB41CT4G

NJVMJB41CT4G onsemi

mjb41c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+41.36 грн
1600+36.65 грн
2400+35.04 грн
4000+31.18 грн
5600+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJB41CT4G onsemi

Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 65W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NJVMJB41CT4G за ціною від 35.06 грн до 151.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Fairchild Semiconductor ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Power - Max: 2 W
на замовлення 57600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+80.69 грн
500+72.61 грн
1000+66.97 грн
10000+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1020690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+80.69 грн
500+72.61 грн
1000+66.97 грн
10000+57.57 грн
100000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+80.69 грн
500+72.61 грн
1000+66.97 грн
10000+57.57 грн
100000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 54400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+80.69 грн
500+72.61 грн
1000+66.97 грн
10000+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 7632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.34 грн
10+79.32 грн
100+53.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 6283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.34 грн
10+79.32 грн
100+53.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G onsemi mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+151.85 грн
10+95.17 грн
100+55.83 грн
500+41.61 грн
800+38.22 грн
2400+35.89 грн
4800+35.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G ONSEMI mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G ONSEMI mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NJVMJB41CT4G
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Power - Max: 2 W
на замовлення 57600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
437+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G mjb41c-d.pdf
NJVMJB41CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G mjb41c-d.pdf
NJVMJB41CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
364+80.69 грн
500+72.61 грн
1000+66.97 грн
10000+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G mjb41c-d.pdf
NJVMJB41CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1020690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
364+80.69 грн
500+72.61 грн
1000+66.97 грн
10000+57.57 грн
100000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G mjb41c-d.pdf
NJVMJB41CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
364+80.69 грн
500+72.61 грн
1000+66.97 грн
10000+57.57 грн
100000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G mjb41c-d.pdf
NJVMJB41CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 54400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
364+80.69 грн
500+72.61 грн
1000+66.97 грн
10000+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G mjb41c-d.pdf
NJVMJB41CT4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 7632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.34 грн
10+79.32 грн
100+53.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G mjb41c-d.pdf
NJVMJB41CT4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 6283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.34 грн
10+79.32 грн
100+53.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NJVMJB41CT4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.85 грн
10+95.17 грн
100+55.83 грн
500+41.61 грн
800+38.22 грн
2400+35.89 грн
4800+35.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NJVMJB41CT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NJVMJB41CT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.