Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NJVMJB41CT4G
NJVMJB41CT4G

NJVMJB41CT4G ON Semiconductor

mjb41c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJB41CT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NJVMJB41CT4G за ціною від 32.76 грн до 160.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Виробник : onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+44.91 грн
1600+39.80 грн
2400+38.05 грн
4000+33.85 грн
5600+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Виробник : Fairchild Semiconductor ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Power - Max: 2 W
на замовлення 57600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
437+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Виробник : ONSEMI mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.14 грн
250+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
364+70.29 грн
500+63.25 грн
1000+58.34 грн
10000+50.15 грн
100000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 364
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1020690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
364+70.29 грн
500+63.25 грн
1000+58.34 грн
10000+50.15 грн
100000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 364
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 54400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
364+70.29 грн
500+63.25 грн
1000+58.34 грн
10000+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 364
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
364+70.29 грн
500+63.25 грн
1000+58.34 грн
10000+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 364
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Виробник : onsemi MJB41C-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.32 грн
10+95.26 грн
100+55.68 грн
500+51.38 грн
800+36.72 грн
2400+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Виробник : onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 7632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.44 грн
10+86.12 грн
100+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Виробник : onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 6283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.44 грн
10+86.12 грн
100+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Виробник : ONSEMI mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.84 грн
10+102.76 грн
50+85.42 грн
100+63.14 грн
250+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 4346 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.