Продукція > ONSEMI > NJVMJB42CT4G
NJVMJB42CT4G

NJVMJB42CT4G onsemi

mjb41c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+51.48 грн
1600+45.75 грн
2400+43.80 грн
4000+39.05 грн
5600+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJB42CT4G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції NJVMJB42CT4G за ціною від 42.71 грн до 157.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJVMJB42CT4G NJVMJB42CT4G Виробник : onsemi MJB41C_D-2315688.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 6A 100V TR
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.45 грн
10+86.09 грн
100+61.21 грн
500+60.18 грн
800+45.80 грн
2400+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB42CT4G NJVMJB42CT4G Виробник : onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.19 грн
10+97.01 грн
100+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.