NJVMJB42CT4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.53 грн |
| 10+ | 97.67 грн |
| 100+ | 66.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJB42CT4G onsemi
Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції NJVMJB42CT4G за ціною від 41.28 грн до 170.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NJVMJB42CT4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 6A 100V TR |
на замовлення 954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NJVMJB42CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
NJVMJB42CT4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NJVMJB42CT4G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 65W; D2PAK; automotive industry Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 65W Case: D2PAK Current gain: 15...75 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
