Продукція > ONSEMI > NJVMJB44H11T4G
NJVMJB44H11T4G

NJVMJB44H11T4G onsemi

mjb44h11-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+47.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJB44H11T4G onsemi

Description: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NJVMJB44H11T4G за ціною від 64.63 грн до 154.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJVMJB44H11T4G NJVMJB44H11T4G Fairchild Semiconductor ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 68942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G NJVMJB44H11T4G onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.64 грн
10+95.30 грн
100+64.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G NJVMJB44H11T4G onsemi mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G NJVMJB44H11T4G ONSEMI mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G NJVMJB44H11T4G ONSEMI mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NJVMJB44H11T4G
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 68942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
304+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf
NJVMJB44H11T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+154.64 грн
10+95.30 грн
100+64.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NJVMJB44H11T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NJVMJB44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NJVMJB44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.