Продукція > ONSEMI > NJVMJB44H11T4G
NJVMJB44H11T4G

NJVMJB44H11T4G onsemi

mjb44h11-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+47.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJB44H11T4G onsemi

Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції NJVMJB44H11T4G за ціною від 38.32 грн до 159.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJVMJB44H11T4G NJVMJB44H11T4G Виробник : Fairchild Semiconductor ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 68942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
304+66.78 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G NJVMJB44H11T4G Виробник : onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.63 грн
10+94.80 грн
100+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G NJVMJB44H11T4G Виробник : onsemi mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.32 грн
10+100.96 грн
100+59.36 грн
500+42.08 грн
2400+38.74 грн
4800+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G Виробник : ONSEMI mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.