NJVMJD112G onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 5+ | 79.12 грн | 
| 75+ | 32.81 грн | 
| 150+ | 29.18 грн | 
| 525+ | 22.53 грн | 
| 1050+ | 20.43 грн | 
| 2025+ | 18.74 грн | 
| 5025+ | 16.54 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD112G onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W. 
Інші пропозиції NJVMJD112G за ціною від 16.53 грн до 85.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NJVMJD112G | Виробник : onsemi | 
            
                         Darlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor         | 
        
                             на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    |||||||||||||||||
| NJVMJD112G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                                  | 
        
                             на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | 
        ||||||||||||||||||
| 
             | 
        NJVMJD112G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||||||
| NJVMJD112G | Виробник : ONSEMI | 
            
                         Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Application: automotive industry  | 
        
                             товару немає в наявності                      |