NJVMJD112G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.51 грн |
| 75+ | 30.75 грн |
| 150+ | 27.35 грн |
| 525+ | 21.11 грн |
| 1050+ | 19.14 грн |
| 2025+ | 17.56 грн |
| 5025+ | 15.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD112G onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W.
Інші пропозиції NJVMJD112G за ціною від 14.82 грн до 76.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NJVMJD112G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NJVMJD112G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |