
NJVMJD112G onsemi

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.95 грн |
75+ | 35.30 грн |
150+ | 31.40 грн |
525+ | 24.24 грн |
1050+ | 21.97 грн |
2025+ | 20.16 грн |
5025+ | 17.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD112G onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W.
Інші пропозиції NJVMJD112G за ціною від 17.03 грн до 57.80 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NJVMJD112G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NJVMJD112G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
NJVMJD112G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |