Продукція > ONSEMI > NJVMJD112T4G
NJVMJD112T4G

NJVMJD112T4G onsemi

mjd112-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+21.10 грн
5000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD112T4G onsemi

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 20 W.

Інші пропозиції NJVMJD112T4G за ціною від 17.55 грн до 90.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJVMJD112T4G NJVMJD112T4G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 7367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.43 грн
10+52.15 грн
100+34.34 грн
500+25.04 грн
1000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4G onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors BIP DPAK NPN 2A 100V TR
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.45 грн
10+41.91 грн
100+27.63 грн
500+23.89 грн
1000+20.51 грн
2500+18.33 грн
5000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4G mjd112-d.pdf
на замовлення 200500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4G mjd112-d.pdf
NJVMJD112T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 7367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+86.43 грн
10+52.15 грн
100+34.34 грн
500+25.04 грн
1000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4G mjd112-d.pdf
Виробник: onsemi
Darlington Transistors BIP DPAK NPN 2A 100V TR
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+90.45 грн
10+41.91 грн
100+27.63 грн
500+23.89 грн
1000+20.51 грн
2500+18.33 грн
5000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4G mjd112-d.pdf
на замовлення 200500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.