Технічний опис NJVMJD122T4G-VF01 ON Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK, Supplier Device Package: DPAK, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 8A, 80mA, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN - Darlington, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 1.75 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції NJVMJD122T4G-VF01
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NJVMJD122T4G-VF01 | onsemi |
Darlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NJVMJD122T4G-VF01 |
![]() |
Виробник: onsemi
Darlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR
Darlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


