Продукція > ONSEMI > NJVMJD122T4G

NJVMJD122T4G ONSEMI


mjd122-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+96.00 грн
10+46.87 грн
31+31.41 грн
86+29.72 грн
500+29.12 грн
1000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD122T4G ONSEMI

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NJVMJD122T4G за ціною від 26.00 грн до 105.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJVMJD122T4G NJVMJD122T4G onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.60 грн
10+59.14 грн
100+39.08 грн
500+28.60 грн
1000+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G onsemi mjd122-d.pdf Darlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+105.33 грн
10+65.58 грн
100+37.69 грн
500+29.42 грн
1000+26.71 грн
2500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G mjd122-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.60 грн
10+59.14 грн
100+39.08 грн
500+28.60 грн
1000+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G mjd122-d.pdf
Виробник: onsemi
Darlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.33 грн
10+65.58 грн
100+37.69 грн
500+29.42 грн
1000+26.71 грн
2500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.