Продукція > ONSEMI > NJVMJD210T4G
NJVMJD210T4G

NJVMJD210T4G onsemi

MJD200_D-1811545.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 5A 25V TR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.18 грн
10+43.06 грн
100+31.56 грн
500+26.93 грн
1000+24.65 грн
2500+21.56 грн
5000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD210T4G onsemi

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 65MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 1.4 W.

Інші пропозиції NJVMJD210T4G за ціною від 26.55 грн до 100.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJVMJD210T4G NJVMJD210T4G Виробник : onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.27 грн
10+60.39 грн
100+39.92 грн
500+29.21 грн
1000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD210T4G NJVMJD210T4G Виробник : onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.