NJVMJD210T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.42 грн |
| 10+ | 58.67 грн |
| 100+ | 38.78 грн |
| 500+ | 28.38 грн |
| 1000+ | 25.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD210T4G onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 65MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 1.4 W.
Інші пропозиції NJVMJD210T4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NJVMJD210T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 5A 25V TR |
на замовлення 1745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NJVMJD210T4G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 5A 25V TR
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 5A 25V TR
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)