
NJVMJD243T4G onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 287500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 21.63 грн |
5000+ | 19.23 грн |
7500+ | 18.42 грн |
12500+ | 16.43 грн |
17500+ | 16.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD243T4G onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.4 W.
Інші пропозиції NJVMJD243T4G за ціною від 17.88 грн до 91.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NJVMJD243T4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W |
на замовлення 289061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NJVMJD243T4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 11294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NJVMJD243T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
NJVMJD243T4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 12.5W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 12.5W Case: DPAK Current gain: 40...180 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 40MHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |