Продукція > ONSEMI > NJVMJD243T4G

NJVMJD243T4G onsemi


mjd243-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 287500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.40 грн
5000+18.13 грн
7500+17.37 грн
12500+15.49 грн
17500+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD243T4G onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.4 W.

Інші пропозиції NJVMJD243T4G за ціною від 20.72 грн до 78.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJVMJD243T4G NJVMJD243T4G onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
на замовлення 289061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.51 грн
10+47.51 грн
100+31.32 грн
500+22.83 грн
1000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD243T4G NJVMJD243T4G onsemi mjd243-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V TR
на замовлення 9545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD243T4G mjd243-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
на замовлення 289061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.51 грн
10+47.51 грн
100+31.32 грн
500+22.83 грн
1000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD243T4G mjd243-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V TR
на замовлення 9545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.