Продукція > ONSEMI > NJVMJD243T4G
NJVMJD243T4G

NJVMJD243T4G onsemi

mjd243-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 287500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.80 грн
5000+21.16 грн
7500+20.26 грн
12500+18.07 грн
17500+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD243T4G onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.4 W.

Інші пропозиції NJVMJD243T4G за ціною від 19.01 грн до 92.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJVMJD243T4G NJVMJD243T4G Виробник : onsemi MJD243_D-2315743.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V TR
на замовлення 11458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.43 грн
10+38.91 грн
100+27.82 грн
500+24.37 грн
1000+22.31 грн
2500+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD243T4G NJVMJD243T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 289241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.09 грн
10+55.50 грн
100+36.53 грн
500+26.64 грн
1000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD243T4G NJVMJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.