на замовлення 10000 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.36 грн |
| 10+ | 44.67 грн |
| 100+ | 28.99 грн |
| 500+ | 22.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD253T4G-VF01 onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 12.5 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NJVMJD253T4G-VF01
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NJVMJD253T4G-VF01 | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP 100V 4A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 12.5 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |