Продукція > ONSEMI > NJVMJD253T4G
NJVMJD253T4G

NJVMJD253T4G onsemi


MJD243_D-1761368.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 4A 100V TR
на замовлення 2068 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.81 грн
10+56.55 грн
100+37.06 грн
500+29.28 грн
1000+26.20 грн
2500+22.38 грн
5000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD253T4G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.4 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NJVMJD253T4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJVMJD253T4G NJVMJD253T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.