Продукція > ONSEMI > NJVMJD253T4G
NJVMJD253T4G

NJVMJD253T4G onsemi

MJD243-D.PDF Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.84 грн
10+44.15 грн
100+34.14 грн
500+26.53 грн
1000+24.10 грн
2500+23.04 грн
5000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD253T4G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.4 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NJVMJD253T4G за ціною від 23.16 грн до 88.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJVMJD253T4G NJVMJD253T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.00 грн
5+67.32 грн
6+56.93 грн
7+53.30 грн
10+49.72 грн
25+41.14 грн
50+36.30 грн
100+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4G NJVMJD253T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.00 грн
10+52.98 грн
100+34.93 грн
500+25.51 грн
1000+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4G Виробник : ONSEMI mjd243-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 12.5W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 12.5W
Case: DPAK
Current gain: 40...180
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.