NJVMJD253T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.71 грн |
| 10+ | 55.48 грн |
| 100+ | 36.55 грн |
| 500+ | 26.69 грн |
| 1000+ | 24.24 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD253T4G onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.4 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NJVMJD253T4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NJVMJD253T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 4A 100V TR |
на замовлення 1963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NJVMJD253T4G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 4A 100V TR
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 4A 100V TR
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)