Продукція > ONSEMI > NJVMJD2955T4G
NJVMJD2955T4G

NJVMJD2955T4G onsemi

mjd2955-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+20.91 грн
5000+18.55 грн
7500+17.75 грн
12500+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD2955T4G onsemi

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції NJVMJD2955T4G за ціною від 14.73 грн до 82.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NJVMJD2955T4G NJVMJD2955T4G onsemi MJD2955-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 60V TR
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.05 грн
10+47.42 грн
100+27.07 грн
500+20.93 грн
1000+18.89 грн
2500+17.27 грн
5000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4G NJVMJD2955T4G onsemi mjd2955-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.46 грн
10+49.48 грн
100+32.41 грн
500+23.52 грн
1000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4G ON Semiconductor mjd2955-d.pdf
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4G MJD2955-D.PDF
NJVMJD2955T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 60V TR
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+77.05 грн
10+47.42 грн
100+27.07 грн
500+20.93 грн
1000+18.89 грн
2500+17.27 грн
5000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4G mjd2955-d.pdf
NJVMJD2955T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+82.46 грн
10+49.48 грн
100+32.41 грн
500+23.52 грн
1000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4G mjd2955-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.