Продукція > ONSEMI > NJVMJD2955T4G
NJVMJD2955T4G

NJVMJD2955T4G onsemi

mjd2955-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.54 грн
5000+18.22 грн
7500+17.43 грн
12500+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD2955T4G onsemi

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції NJVMJD2955T4G за ціною від 14.47 грн до 81.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJVMJD2955T4G NJVMJD2955T4G Виробник : onsemi MJD2955-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 60V TR
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.68 грн
10+46.57 грн
100+26.58 грн
500+20.56 грн
1000+18.55 грн
2500+16.96 грн
5000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4G NJVMJD2955T4G Виробник : onsemi mjd2955-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 17018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.00 грн
10+48.60 грн
100+31.84 грн
500+23.10 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4G Виробник : ON Semiconductor mjd2955-d.pdf
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.