NJVMJD2955T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 78.44 грн |
| 10+ | 47.12 грн |
| 100+ | 30.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD2955T4G onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.75 W.
Інші пропозиції NJVMJD2955T4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NJVMJD2955T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 60V TR |
на замовлення 3874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NJVMJD2955T4G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2103 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NJVMJD2955T4G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 60V TR
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 60V TR
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NJVMJD2955T4G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)