 
NJVMJD3055T4G onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2500+ | 30.35 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD3055T4G onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.75 W. 
Інші пропозиції NJVMJD3055T4G за ціною від 26.35 грн до 122.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | NJVMJD3055T4G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 4529 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| NJVMJD3055T4G | Виробник : onsemi |  Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V TR | на замовлення 3696 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
|   | NJVMJD3055T4G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||
| NJVMJD3055T4G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 20...100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 2MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності |