Продукція > ONSEMI > NJVMJD3055T4G

NJVMJD3055T4G onsemi


mjd2955-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+29.51 грн
5000+26.39 грн
7500+25.35 грн
12500+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD3055T4G onsemi

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції NJVMJD3055T4G за ціною від 24.46 грн до 120.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NJVMJD3055T4G NJVMJD3055T4G onsemi mjd2955-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 64665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.63 грн
10+66.20 грн
100+44.19 грн
500+32.61 грн
1000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD3055T4G onsemi mjd2955-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V TR
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.06 грн
10+56.98 грн
100+38.20 грн
500+33.41 грн
1000+28.83 грн
2500+26.43 грн
5000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD3055T4G mjd2955-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 64665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+108.63 грн
10+66.20 грн
100+44.19 грн
500+32.61 грн
1000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD3055T4G mjd2955-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V TR
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.06 грн
10+56.98 грн
100+38.20 грн
500+33.41 грн
1000+28.83 грн
2500+26.43 грн
5000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.