Продукція > ONSEMI > NJVMJD31CG
NJVMJD31CG

NJVMJD31CG onsemi

MJD31_D-2315971.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.28 грн
10+ 36.85 грн
75+ 20.7 грн
525+ 17.56 грн
1050+ 16.89 грн
1875+ 13.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD31CG onsemi

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.56 W.

Інші пропозиції NJVMJD31CG за ціною від 24.41 грн до 41.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NJVMJD31CG NJVMJD31CG Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.89 грн
75+ 33.64 грн
150+ 24.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
NJVMJD31CG NJVMJD31CG Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній