NJVMJD31CG onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 29.51 грн |
| 150+ | 25.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD31CG onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK, Power - Max: 1.56 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: DPAK, Frequency - Transition: 3MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube.
Інші пропозиції NJVMJD31CG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NJVMJD31CG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NJVMJD31CG |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)