Продукція > ONSEMI > NJVMJD31CRLG

NJVMJD31CRLG onsemi

Name: NJVMJD31CRLG
Brand: onsemi
SKU: 13617608-3
Price: 314.04 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active

на замовлення 1693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	78.51 грн
10+	47.07 грн
100+	30.83 грн
500+	22.38 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NJVMJD31CRLG onsemi

Description: ONSEMI - NJVMJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD31, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NJVMJD31CRLG

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	NJVMJD31CRLG	ONSEMI	Description: ONSEMI - NJVMJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD31 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C	на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн.
	NJVMJD31CRLG	onsemi	Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR	на замовлення 7283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

NJVMJD31CRLG

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD31
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 1800 шт

В кошику од. на суму грн.

NJVMJD31CRLG

Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR

на замовлення 7283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.