NJVMJD31CRLG ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD31
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD31CRLG ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD31, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції NJVMJD31CRLG за ціною від 17.55 грн до 82.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NJVMJD31CRLG | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1.56 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active |
на замовлення 1708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| NJVMJD31CRLG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR |
на замовлення 7282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NJVMJD31CRLG |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.50 грн |
| 10+ | 47.34 грн |
| 100+ | 31.05 грн |
| 500+ | 22.53 грн |
| NJVMJD31CRLG |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR
на замовлення 7282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 82.07 грн |
| 10+ | 50.50 грн |
| 100+ | 28.83 грн |
| 500+ | 22.27 грн |
| 1000+ | 17.55 грн |