NJVMJD31CT4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD31CT4G onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.56 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NJVMJD31CT4G за ціною від 16.18 грн до 80.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NJVMJD31CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NJVMJD31CT4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 30 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor |
на замовлення 4877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NJVMJD31CT4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NJVMJD31CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NJVMJD31CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NJVMJD31CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NJVMJD31CT4G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NJVMJD31CT4G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |