Продукція > ONSEMI > NJVMJD31T4G
NJVMJD31T4G

NJVMJD31T4G onsemi

MJD31_D-2315971.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.91 грн
10+41.09 грн
100+24.76 грн
500+20.72 грн
1000+17.68 грн
2500+15.62 грн
5000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD31T4G onsemi

Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1.56 W.

Інші пропозиції NJVMJD31T4G за ціною від 16.83 грн до 56.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJVMJD31T4G NJVMJD31T4G Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.86 грн
10+36.27 грн
100+24.83 грн
500+18.43 грн
1000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31T4G NJVMJD31T4G Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.