NJVMJD32CG onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD32CG onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.56 W.
Інші пропозиції NJVMJD32CG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
NJVMJD32CG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NJVMJD32CG |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



