NJVMJD32CT4G-VF01 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 26.53 грн |
| 30+ | 25.34 грн |
| 100+ | 22.03 грн |
| 250+ | 20.05 грн |
| 500+ | 18.22 грн |
| 1000+ | 17.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD32CT4G-VF01 ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.56 W.
Інші пропозиції NJVMJD32CT4G-VF01
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NJVMJD32CT4G-VF01 | onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR |
на замовлення 4956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NJVMJD32CT4G-VF01 |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)