Продукція > ONSEMI > NJVMJD32T4G
NJVMJD32T4G

NJVMJD32T4G onsemi

mjd31-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.92 грн
10+55.31 грн
100+36.46 грн
500+26.62 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD32T4G onsemi

Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1.56 W.

Інші пропозиції NJVMJD32T4G за ціною від 19.56 грн до 98.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJVMJD32T4G Виробник : onsemi MJD31-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.97 грн
10+45.80 грн
100+30.56 грн
500+26.79 грн
1000+24.82 грн
2500+19.64 грн
5000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32T4G NJVMJD32T4G Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.