NJVMJD32T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.36 грн |
| 10+ | 50.11 грн |
| 100+ | 33.03 грн |
| 500+ | 24.12 грн |
| 1000+ | 21.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD32T4G onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK, Power - Max: 1.56 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: DPAK, Frequency - Transition: 3MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NJVMJD32T4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NJVMJD32T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR |
на замовлення 3352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NJVMJD32T4G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)