Продукція > ONSEMI > NJVMJD350T4G

NJVMJD350T4G onsemi


mjd340-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.11 грн
10+45.69 грн
100+29.91 грн
500+21.68 грн
1000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD350T4G onsemi

Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 1.56 W.

Інші пропозиції NJVMJD350T4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJVMJD350T4G NJVMJD350T4G onsemi mjd340-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR
на замовлення 9133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD350T4G mjd340-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR
на замовлення 9133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.