NJVMJD350T4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 21.13 грн |
| 5000+ | 18.74 грн |
| 7500+ | 17.91 грн |
| 12500+ | 15.95 грн |
| 17500+ | 15.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD350T4G onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 1.56 W.
Інші пропозиції NJVMJD350T4G за ціною від 14.89 грн до 83.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NJVMJD350T4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR |
на замовлення 14208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NJVMJD350T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.56 W |
на замовлення 22865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NJVMJD350T4G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK Polarisation: bipolar Case: DPAK Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector current: 0.5A Power dissipation: 15W Current gain: 30...240 Collector-emitter voltage: 300V Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
