Продукція > ONSEMI > NJVMJD41CT4G
NJVMJD41CT4G

NJVMJD41CT4G onsemi


mjd41c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.09 грн
5000+25.95 грн
7500+24.90 грн
12500+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD41CT4G onsemi

Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NJVMJD41CT4G за ціною від 29.42 грн до 109.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJVMJD41CT4G NJVMJD41CT4G Виробник : onsemi mjd41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.25 грн
10+66.31 грн
100+44.00 грн
500+32.31 грн
1000+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD41CT4G NJVMJD41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD41CT4G NJVMJD41CT4G Виробник : onsemi MJD41C_D-1811456.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD41CT4G Виробник : ONSEMI mjd41c-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 15...75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.