Продукція > ONSEMI > NJVMJD42CT4G
NJVMJD42CT4G

NJVMJD42CT4G onsemi

mjd41c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.44 грн
10+ 42.8 грн
100+ 29.65 грн
500+ 23.25 грн
1000+ 19.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD42CT4G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NJVMJD42CT4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NJVMJD42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJD42CT4G NJVMJD42CT4G Виробник : onsemi mjd41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NJVMJD42CT4G NJVMJD42CT4G Виробник : onsemi MJD41C_D-2316115.pdf Bipolar Transistors - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR
товар відсутній