Продукція > ONSEMI > NJVMJD44H11D3T4G
NJVMJD44H11D3T4G

NJVMJD44H11D3T4G onsemi

MJD44H11-D.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+419.59 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD44H11D3T4G onsemi

Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 85MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 20 W.

Інші пропозиції NJVMJD44H11D3T4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJVMJD44H11D3T4G NJVMJD44H11D3T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 4-Pin(3+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11D3T4G NJVMJD44H11D3T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11D3T4G Виробник : onsemi MJD44H11_D-2315885.pdf Bipolar Transistors - BJT SILICON POWER TRANSI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.