
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 121.54 грн |
10+ | 100.98 грн |
25+ | 63.47 грн |
75+ | 38.40 грн |
525+ | 33.64 грн |
1050+ | 29.02 грн |
2550+ | 25.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD44H11G onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 85MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.75 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NJVMJD44H11G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NJVMJD44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NJVMJD44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NJVMJD44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NJVMJD44H11G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |