NJVMJD44H11G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD44H11G onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 85MHz, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.75 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NJVMJD44H11G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
NJVMJD44H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V |
на замовлення 3928 шт: термін постачання 217-226 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NJVMJD44H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 217-226 дні (днів)



