Продукція > ONSEMI > NJVMJD45H11T4G
NJVMJD45H11T4G

NJVMJD45H11T4G ONSEMI

ONSM-S-A0016015114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+49.53 грн
500+33.21 грн
1000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD45H11T4G ONSEMI

Description: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NJVMJD45H11T4G за ціною від 23.95 грн до 118.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NJVMJD45H11T4G NJVMJD45H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.98 грн
10+59.99 грн
100+39.93 грн
500+29.37 грн
1000+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4G NJVMJD45H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V TR
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.79 грн
10+68.82 грн
100+39.80 грн
500+31.21 грн
1000+28.49 грн
2500+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4G NJVMJD45H11T4G ONSEMI ONSM-S-A0016015114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.94 грн
50+74.54 грн
100+49.53 грн
500+33.21 грн
1000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4G mjd44h11-d.pdf
NJVMJD45H11T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.98 грн
10+59.99 грн
100+39.93 грн
500+29.37 грн
1000+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4G mjd44h11-d.pdf
NJVMJD45H11T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V TR
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+110.79 грн
10+68.82 грн
100+39.80 грн
500+31.21 грн
1000+28.49 грн
2500+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4G ONSM-S-A0016015114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJVMJD45H11T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+118.94 грн
50+74.54 грн
100+49.53 грн
500+33.21 грн
1000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.