Продукція > ONSEMI > NJVMJD45H11T4G
NJVMJD45H11T4G

NJVMJD45H11T4G ONSEMI

ONSM-S-A0016015114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.31 грн
500+32.34 грн
1000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD45H11T4G ONSEMI

Description: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NJVMJD45H11T4G за ціною від 25.32 грн до 108.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJVMJD45H11T4G NJVMJD45H11T4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0016015114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+60.51 грн
50+51.95 грн
100+43.31 грн
500+32.34 грн
1000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4G NJVMJD45H11T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
на замовлення 21225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.68 грн
10+53.00 грн
100+38.38 грн
500+30.90 грн
1000+28.48 грн
2500+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4G NJVMJD45H11T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.76 грн
10+66.28 грн
100+44.10 грн
500+32.44 грн
1000+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4G NJVMJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4G NJVMJD45H11T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.