на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 26.09 грн |
16+ | 20.12 грн |
100+ | 17.36 грн |
1000+ | 16.16 грн |
2500+ | 15.42 грн |
5000+ | 14.55 грн |
10000+ | 13.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD47T4G onsemi
Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 200µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Power - Max: 1.56 W.
Інші пропозиції NJVMJD47T4G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NJVMJD47T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 1.56 W |
товар відсутній |
||
NJVMJD47T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 1.56 W |
товар відсутній |