NJVMJD50T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.46 грн |
| 10+ | 45.06 грн |
| 100+ | 29.44 грн |
| 500+ | 21.33 грн |
| 1000+ | 19.31 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD50T4G onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 200µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 1.56 W.
Інші пропозиції NJVMJD50T4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NJVMJD50T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 400V TR |
на замовлення 16690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NJVMJD50T4G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 400V TR
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 400V TR
на замовлення 16690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)