на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 109.60 грн |
2500+ | 27.94 грн |
5000+ | 21.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD6039T4G onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.75 W.
Інші пропозиції NJVMJD6039T4G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NJVMJD6039T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NJVMJD6039T4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NJVMJD6039T4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
товару немає в наявності |