Продукція > ONSEMI > NJVMJK44H11TWG
NJVMJK44H11TWG

NJVMJK44H11TWG ONSEMI

mjk44h11-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJK44H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+51.77 грн
500+37.94 грн
1000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJK44H11TWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NJVMJK44H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: LFPAK, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NJVMJK44H11TWG за ціною від 23.56 грн до 123.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJVMJK44H11TWG NJVMJK44H11TWG onsemi mjk44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.14 грн
10+68.87 грн
100+45.97 грн
500+33.89 грн
1000+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK44H11TWG NJVMJK44H11TWG ONSEMI mjk44h11-d.pdf Description: ONSEMI - NJVMJK44H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.07 грн
11+77.53 грн
100+51.77 грн
500+37.94 грн
1000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK44H11TWG onsemi mjk44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 80 V, 8A, Low VCE(sat) NPN Transistor, Automotive
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.33 грн
10+73.76 грн
100+42.48 грн
500+33.33 грн
1000+30.45 грн
3000+25.18 грн
6000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK44H11TWG mjk44h11-d.pdf
NJVMJK44H11TWG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.14 грн
10+68.87 грн
100+45.97 грн
500+33.89 грн
1000+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK44H11TWG mjk44h11-d.pdf
NJVMJK44H11TWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJK44H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+123.07 грн
11+77.53 грн
100+51.77 грн
500+37.94 грн
1000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK44H11TWG mjk44h11-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 80 V, 8A, Low VCE(sat) NPN Transistor, Automotive
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+117.33 грн
10+73.76 грн
100+42.48 грн
500+33.33 грн
1000+30.45 грн
3000+25.18 грн
6000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.