Продукція > ONSEMI > NJVMJK45H11TWG
NJVMJK45H11TWG

NJVMJK45H11TWG onsemi

mjk45h11-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.98 грн
6000+25.06 грн
9000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJK45H11TWG onsemi

Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung: 20W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NJVMJK45H11TWG за ціною від 28.81 грн до 105.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJVMJK45H11TWG NJVMJK45H11TWG onsemi mjk45h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.46 грн
10+64.22 грн
100+42.83 грн
500+31.58 грн
1000+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWG NJVMJK45H11TWG ONSEMI 3917133.pdf Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWG NJVMJK45H11TWG ONSEMI 3917133.pdf Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWG onsemi mjk45h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 80 V, 8A, Low VCE(sat) PNP Transistor, Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWG mjk45h11-d.pdf
NJVMJK45H11TWG
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+105.46 грн
10+64.22 грн
100+42.83 грн
500+31.58 грн
1000+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWG 3917133.pdf
NJVMJK45H11TWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWG 3917133.pdf
NJVMJK45H11TWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWG mjk45h11-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 80 V, 8A, Low VCE(sat) PNP Transistor, Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.