Технічний опис NJVNJD1718T4G ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R.
Інші пропозиції NJVNJD1718T4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NJVNJD1718T4G | Виробник : ON Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR DPAK 50V |
на замовлення 2334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NJVNJD1718T4G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NJVNJD1718T4G | Виробник : Rochester Electronics, LLC |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
 |
NJVNJD1718T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
NJVNJD1718T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Description: TRANS PNP 50V 2A DPAK |
товару немає в наявності |