Продукція > ONSEMI > NJVNJD2873T4G-VF01
NJVNJD2873T4G-VF01

NJVNJD2873T4G-VF01 ONSEMI

2354493.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVNJD2873T4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+26.33 грн
1000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVNJD2873T4G-VF01 ONSEMI

Description: ONSEMI - NJVNJD2873T4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції NJVNJD2873T4G-VF01 за ціною від 18.72 грн до 69.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJVNJD2873T4G-VF01 NJVNJD2873T4G-VF01 Виробник : ONSEMI 2354493.pdf Description: ONSEMI - NJVNJD2873T4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+65.71 грн
17+51.23 грн
100+36.41 грн
500+26.33 грн
1000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01 NJVNJD2873T4G-VF01 Виробник : onsemi NJD2873T4_D-65889.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
на замовлення 10716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.41 грн
10+53.40 грн
100+32.99 грн
500+30.17 грн
1000+25.96 грн
2500+23.29 грн
5000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01 NJVNJD2873T4G-VF01 Виробник : onsemi njd2873t4-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01 NJVNJD2873T4G-VF01 Виробник : onsemi njd2873t4-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01 NJVNJD2873T4G-VF01 Виробник : onsemi njd2873t4-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.