NJW0281G ON Semiconductor
на замовлення 4677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 219+ | 139.29 грн |
| 500+ | 132.18 грн |
| 1000+ | 124.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJW0281G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJW0281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NJW0281G за ціною від 92.59 грн до 309.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NJW0281G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 250V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NJW0281G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NJW0281G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P Application: automotive industry Case: TO3P Frequency: 30MHz Collector-emitter voltage: 250V Current gain: 75...150 Collector current: 15A Type of transistor: NPN Power dissipation: 150W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NJW0281G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P Application: automotive industry Case: TO3P Frequency: 30MHz Collector-emitter voltage: 250V Current gain: 75...150 Collector current: 15A Type of transistor: NPN Power dissipation: 150W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 117 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NJW0281G | Виробник : EVVO |
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NJW0281G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 250V 15A TO-3P-3L Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P-3L Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NJW0281G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 150W |
на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NJW0281G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NJW0281G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJW0281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NJW0281G Код товару: 79530
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
|
|
NJW0281G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NJW0281G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |