Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NJW1302G
NJW1302G

NJW1302G ON Semiconductor

njw3281d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+282.70 грн
120+224.73 грн
270+206.43 грн
510+182.38 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJW1302G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJW1302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NJW1302G за ціною від 113.53 грн до 433.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJW1302G NJW1302G Виробник : onsemi njw3281-d.pdf Description: TRANS PNP 250V 15A TO-3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.33 грн
30+179.51 грн
120+148.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G NJW1302G Виробник : onsemi NJW3281-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 200W TO-3P PNP
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.29 грн
10+191.86 грн
120+133.61 грн
360+113.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G NJW1302G Виробник : ONSEMI njw3281-d.pdf Description: ONSEMI - NJW1302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+395.75 грн
10+221.29 грн
100+193.03 грн
500+152.24 грн
1000+137.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G Виробник : ONSEMI njw3281-d.pdf NJW1302G PNP THT transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.97 грн
6+225.99 грн
15+213.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G NJW1302G Виробник : ON Semiconductor njw3281d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G NJW1302G Виробник : ON Semiconductor njw3281d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G Виробник : Diodes Incorporated njw3281-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.