
NJW1302G ON Semiconductor
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 147.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJW1302G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJW1302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 15A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NJW1302G за ціною від 121.41 грн до 414.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NJW1302G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NJW1302G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NJW1302G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 15A Power dissipation: 200W Case: TO3P Current gain: 45...150 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz Application: automotive industry |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NJW1302G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P-3L Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 6795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NJW1302G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NJW1302G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 15A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NJW1302G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 15A Power dissipation: 200W Case: TO3P Current gain: 45...150 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NJW1302G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NJW1302G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |