Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NJW1302G
NJW1302G

NJW1302G ON Semiconductor

njw3281d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+364.96 грн
120+300.62 грн
270+298.40 грн
510+243.89 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 39 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJW1302G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJW1302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 200W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NJW1302G за ціною від 153.41 грн до 499.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJW1302G NJW1302G onsemi njw3281-d.pdf Description: TRANS PNP 250V 15A TO-3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.04 грн
30+231.09 грн
120+192.07 грн
510+153.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G NJW1302G ONSEMI njw3281-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G NJW1302G ON Semiconductor njw3281d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.16 грн
30+279.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G NJW1302G ON Semiconductor njw3281d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+499.16 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G NJW1302G onsemi njw3281-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200W TO-3P PNP
на замовлення 6270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G NJW1302G ONSEMI ONSM-S-A0013302768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJW1302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G njw3281-d.pdf
NJW1302G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 250V 15A TO-3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+424.04 грн
30+231.09 грн
120+192.07 грн
510+153.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G njw3281-d.pdf
NJW1302G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G njw3281d.pdf
NJW1302G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+499.16 грн
30+279.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G njw3281d.pdf
NJW1302G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+499.16 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G njw3281-d.pdf
NJW1302G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200W TO-3P PNP
на замовлення 6270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW1302G ONSM-S-A0013302768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJW1302G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJW1302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.