NJW1302G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 303.58 грн |
| 120+ | 241.33 грн |
| 270+ | 221.67 грн |
| 510+ | 195.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJW1302G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJW1302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NJW1302G за ціною від 113.79 грн до 395.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NJW1302G | Виробник : ONSEMI |
 Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P Polarisation: bipolar Case: TO3P Mounting: THT Type of transistor: PNP Power dissipation: 200W Collector current: 15A Current gain: 45...150 Collector-emitter voltage: 250V Frequency: 30MHz Application: automotive industry Kind of package: tube |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NJW1302G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 250V 15A TO-3P-3L Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P-3L Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NJW1302G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200W TO-3P PNP |
на замовлення 1207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NJW1302G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJW1302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NJW1302G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NJW1302G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NJW1302G | Виробник : On Semiconductor |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 15 A 30MHz 200 W Through Hole TO-3P-3L Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| NJW1302G | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |