NJW21194G

NJW21194G ON Semiconductor


njw21193-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+218.74 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJW21194G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJW21194G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 16A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NJW21194G за ціною від 125.74 грн до 394.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJW21194G NJW21194G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9CB7C1EFC6B8BF&compId=NJW21193_4.pdf?ci_sign=42a2a0044652f25830fc57b29dd0fc54422e4f30 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Current gain: 20...70
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Application: automotive industry
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.08 грн
5+210.74 грн
12+199.25 грн
30+191.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G NJW21194G Виробник : EVVO NJW21194G.pdf Description: TRANS NPN 250V 16A TO-3PB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+320.71 грн
10+203.85 грн
100+144.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G NJW21194G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013303284-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJW21194G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+344.14 грн
10+303.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G NJW21194G Виробник : onsemi njw21193-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 16A TO-3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.73 грн
30+191.51 грн
120+158.32 грн
510+125.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G NJW21194G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9CB7C1EFC6B8BF&compId=NJW21193_4.pdf?ci_sign=42a2a0044652f25830fc57b29dd0fc54422e4f30 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Current gain: 20...70
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.30 грн
5+262.62 грн
12+239.10 грн
30+229.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G NJW21194G Виробник : onsemi NJW21193_D-1813401.pdf Bipolar Transistors - BJT 200W NPN
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+394.82 грн
10+364.64 грн
30+198.63 грн
120+163.32 грн
360+136.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G NJW21194G Виробник : ON Semiconductor njw21193-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G NJW21194G
Код товару: 102278
Додати до обраних Обраний товар

njw21193-d.pdf NJW21194G.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G NJW21194G Виробник : ON Semiconductor njw21193-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G NJW21194G Виробник : ON Semiconductor njw21193-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G NJW21194G Виробник : ON Semiconductor njw21193-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.