Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > NJW21194G
NJW21194G

NJW21194G

njw21193-d.pdf
Код товару: 102278
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NJW21194G за ціною від 152.17 грн до 359.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NJW21194G NJW21194G ON Semiconductor njw21193d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+214.63 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G NJW21194G ONSEMI NJW21193_4.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO3P
Power dissipation: 200W
Current gain: 20...70
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 4MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+279.97 грн
10+213.80 грн
20+212.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G NJW21194G ON Semiconductor njw21193d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+294.21 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G NJW21194G ONSEMI njw21193-d.pdf Description: ONSEMI - NJW21194G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.25 грн
10+202.28 грн
100+188.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G NJW21194G onsemi njw21193-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 16A TO-3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.75 грн
30+184.07 грн
120+152.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G NJW21194G onsemi njw21193-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200W NPN
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+359.34 грн
10+198.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G njw21193d.pdf
NJW21194G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
210+214.63 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G NJW21193_4.pdf
NJW21194G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO3P
Power dissipation: 200W
Current gain: 20...70
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 4MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+279.97 грн
10+213.80 грн
20+212.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G njw21193d.pdf
NJW21194G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
210+294.21 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G njw21193-d.pdf
NJW21194G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJW21194G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+341.25 грн
10+202.28 грн
100+188.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G njw21193-d.pdf
NJW21194G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 16A TO-3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+341.75 грн
30+184.07 грн
120+152.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW21194G njw21193-d.pdf
NJW21194G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200W NPN
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+359.34 грн
10+198.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.