NJW3281G ON Semiconductor
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 212.11 грн |
| 120+ | 187.57 грн |
| 270+ | 184.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJW3281G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NJW3281G за ціною від 110.30 грн до 339.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NJW3281G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NJW3281G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NJW3281G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NJW3281G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NJW3281G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 250V 15A TO-3P-3L Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P-3L Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 1802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NJW3281G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NJW3281G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200 W BETA AUDIO |
на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NJW3281G |
|
на замовлення 1290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |