NJW3281G onsemi


njw3281-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 15A TO-3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+329.34 грн
30+177.27 грн
120+146.48 грн
510+116.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJW3281G onsemi

Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 200W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NJW3281G за ціною від 112.96 грн до 388.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NJW3281G NJW3281G onsemi NJW3281-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 200 W BETA AUDIO
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.52 грн
10+179.81 грн
120+121.92 грн
360+112.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G NJW3281G ONSEMI njw3281-d.pdf Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+388.14 грн
10+320.64 грн
100+248.31 грн
500+200.73 грн
1000+181.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281-d.pdf
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G NJW3281-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200 W BETA AUDIO
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+337.52 грн
10+179.81 грн
120+121.92 грн
360+112.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+388.14 грн
10+320.64 грн
100+248.31 грн
500+200.73 грн
1000+181.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281-d.pdf
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.