Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NJW3281G
NJW3281G

NJW3281G ON Semiconductor

njw3281d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
164+215.21 грн
500+204.62 грн
1000+192.86 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJW3281G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 200W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NJW3281G за ціною від 177.58 грн до 422.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJW3281G NJW3281G ONSEMI njw3281-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 250V
Application: automotive industry
Current gain: 45...150
Frequency: 30MHz
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+276.97 грн
10+220.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G NJW3281G onsemi njw3281-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 15A TO-3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.60 грн
30+213.81 грн
120+177.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G NJW3281G ON Semiconductor njw3281d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+422.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G NJW3281G ONSEMI njw3281-d.pdf Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G NJW3281G ON Semiconductor njw3281d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G NJW3281G onsemi njw3281-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200 W BETA AUDIO
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G NJW3281G ON Semiconductor njw3281d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281-d.pdf
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281-d.pdf
NJW3281G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 250V
Application: automotive industry
Current gain: 45...150
Frequency: 30MHz
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.97 грн
10+220.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281-d.pdf
NJW3281G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 15A TO-3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+392.60 грн
30+213.81 грн
120+177.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281d.pdf
NJW3281G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+422.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281-d.pdf
NJW3281G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281d.pdf
NJW3281G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281-d.pdf
NJW3281G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200 W BETA AUDIO
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281d.pdf
NJW3281G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281-d.pdf
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.