Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NJW3281G
NJW3281G

NJW3281G ON Semiconductor

njw3281d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
164+215.69 грн
500+205.08 грн
1000+193.29 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 164 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJW3281G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 200W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NJW3281G за ціною від 265.85 грн до 420.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJW3281G NJW3281G ONSEMI njw3281-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+265.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G NJW3281G ON Semiconductor njw3281d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G NJW3281G onsemi njw3281-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200 W BETA AUDIO
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G NJW3281G ONSEMI ONSM-S-A0018756234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G NJW3281G ON Semiconductor njw3281d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281-d.pdf
NJW3281G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281d.pdf
NJW3281G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+420.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281-d.pdf
NJW3281G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200 W BETA AUDIO
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G ONSM-S-A0018756234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJW3281G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJW3281G njw3281d.pdf
NJW3281G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.