Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NJW44H11G
NJW44H11G

NJW44H11G ON Semiconductor

njw44h11-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
108+112.70 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJW44H11G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 80V 10A TO-3P-3L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 4A, 2V, Frequency - Transition: 85MHz, Supplier Device Package: TO-3P-3L, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 120 W.

Інші пропозиції NJW44H11G за ціною від 83.40 грн до 284.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJW44H11G NJW44H11G Виробник : ON Semiconductor njw44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+129.20 грн
500+123.15 грн
1000+117.09 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
NJW44H11G NJW44H11G Виробник : ON Semiconductor njw44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+129.20 грн
500+123.15 грн
1000+117.09 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
NJW44H11G NJW44H11G Виробник : ON Semiconductor njw44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+129.20 грн
500+123.15 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
NJW44H11G NJW44H11G Виробник : ON Semiconductor njw44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+129.20 грн
500+123.15 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
NJW44H11G NJW44H11G Виробник : onsemi njw44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A TO-3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 120 W
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.00 грн
30+141.42 грн
120+115.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NJW44H11G NJW44H11G Виробник : onsemi NJW44H11-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Power Bipolar Transistor, 80 V, 10 A NPN TO-3P POWER TRANS
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.76 грн
10+153.98 грн
120+108.65 грн
510+91.05 грн
1020+83.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NJW44H11G NJW44H11G Виробник : ON Semiconductor njw44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJW44H11G Виробник : ONSEMI njw44h11-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 120W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 120W
Case: TO3P
Current gain: 100...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.