Технічний опис NJW44H11G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-3P-3L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 4A, 2V, Frequency - Transition: 85MHz, Supplier Device Package: TO-3P-3L, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 120 W.
Інші пропозиції NJW44H11G за ціною від 107.53 грн до 250.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NJW44H11G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 2939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NJW44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NJW44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NJW44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NJW44H11G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-3P-3L Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: TO-3P-3L Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 120 W |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NJW44H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN TO-3P POWER TRANS |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NJW44H11G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 235+ | 149.86 грн |
| 500+ | 142.83 грн |
| 1000+ | 135.81 грн |
| NJW44H11G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 235+ | 149.86 грн |
| 500+ | 142.83 грн |
| 1000+ | 135.81 грн |
| NJW44H11G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 235+ | 149.86 грн |
| 500+ | 142.83 грн |
| NJW44H11G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 235+ | 149.86 грн |
| 500+ | 142.83 грн |
| NJW44H11G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 120 W
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 120 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 250.16 грн |
| 30+ | 131.62 грн |
| 120+ | 107.53 грн |