Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP100N04PUK-E1-AY
NP100N04PUK-E1-AY

NP100N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

np100n04pukmos-field-effect-transistor Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+95.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP100N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc), Supplier Device Package: TO-263, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NP100N04PUK-E1-AY за ціною від 103.04 грн до 234.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP100N04PUK-E1-AY NP100N04PUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0545ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930940.pdf MOSFET Power MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.82 грн
10+192.77 грн
25+158.19 грн
100+135.70 грн
250+128.44 грн
500+120.46 грн
800+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N04PUK-E1-AY NP100N04PUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np100n04pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.